製品情報

結晶欠陥検査装置

結晶欠陥検査装置 概要

本装置は、偏光イメージング技術を用いた独自の結晶検査光学系を搭載し、インラインの生産装置として業界最高速のスループットを実現し、お客様の歩留まり向上に貢献いたします。

特長

  • 多連センサヘッドでウェーハ全面を、高速スキャニング、独自の高速搬送方式によりスループット 133 枚/時間を達成。
  • ウェーハをストレスフリー搬送することによりウェーハ自体の残留応力のみ可視化可能
  • 自動欠陥分類機能(ADC)搭載。独自の検査アルゴリズムにて結晶欠陥とその他欠陥(パーティクルなど)の分類が可能。

主な仕様

検査対象欠陥:結晶欠陥
対象ウェーハ:シリコンウェーハ(ポリッシュ/EPI)
対応サイズ :12インチ(φ300mm)
スループット:133枚/h
装置サイズ :W:1900×D:1650×H:2050 (mm)

測定例

市販品シリコンウェーハ(結晶欠陥なし/スワール可視)